半导体设备最新报告！四大核心设备三种已突破 光刻机依然是痛
发布时间：2022-01-17 10:30:43 所属栏目：产品 来源：互联网
导读：集成电路制造设备按类型分为氧化/扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、清洗设备与检测设备等；按工艺分为成熟工艺设备和先进工艺设备两种，成熟工艺设备包含 8 英寸、6 英寸等 90nm 以上技术节点，先进工艺设备以 12 英寸 90nm 以下技术节
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集成电路制造设备按类型分为氧化/扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、清洗设备与检测设备等；按工艺分为成熟工艺设备和先进工艺设备两种，成熟工艺设备包含 8 英寸、6 英寸等 90nm 以上技术节点，先进工艺设备以 12 英寸 90nm 以下技术节点为主。 晶圆厂 80%以上的投资用于购买集成电路设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备(包含 CVD 设备与 PVD 设备)，光刻设备和清洗设备是四大主要设备，2019年四大主要设备投资规模占晶圆制造设备总投资的比例分别为 30%、25%、 23%、5%。清洗设备虽然投资占比较低，但清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤的 30%以上，是晶圆制造中最重要的环节之一。 需求：区域投资强劲和新型工艺驱动，需求逐年增加 在经历 2019 年的短期下滑之后，在 5G、高性能运算的驱动下，全球半导体晶圆厂均开始加大资本开支。根据 SEMI 统计，2020 年全球半导体晶圆厂资本开支达 1069 亿美元，同比增长 7.6%。预计 2024 年将达到 1276 亿美元，2019-2024 年 CAGR 达 5.1%。上游设备厂商受益于晶圆厂扩产浪潮最为明显。 根据国际半导体产业协会（SEMI）统计，中国大陆 2020 年集成电路设备销售额达 187.2 亿美元，同比增长 39%，首次成为全球最大的集成电路设备市场，2013-2020 年中国大陆集成电路设备销售额年均复合增长率达27.76%。 业界发展 3D 技术，采用多层堆栈技术将多颗集成电路立体封装在一起，代替过去的一颗集成电路的功能，以实现更高的像素与更大的存储容量。过去的图像传感集成电路将像素功能，内存功能与逻辑功能整合在一颗集成电路，难以在单位面积集成更多晶体管来提高像素。 如今业界采用三颗不同功能集成电路多层堆栈代替过去一颗集成电路，对集成电路设备需求出现了大幅增长。同时 3D NAND 存储器也采用该结构以提升存储容量。多层堆栈技术的大规模应用导致对设备的需求进一步加大。 14nm 及更先进制程的逻辑运算芯片为了追求更高速度与更低功耗，开始引入更为复杂的 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术与 GAA（全包围栅极晶体管）技术，复杂的晶体管结构导致了所有工艺步骤的增加，在刻蚀工艺方面尤为明显，28nm 制程芯片需要 40 道刻蚀工艺步骤，5nm 制程芯片则需要高达160 道刻蚀工艺步骤，与之对应的则是对刻蚀设备需求的激增。 （编辑：源码门户网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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